厚度：900μm±50μm
晶向：<111>±0.2°
Zn值：4.5或10（±1%）
平均位錯腐蝕坑密度（EPD）:≤5*10?cmˉ2
雙晶衍射半峰寬（FWHM）最大值：≤20arecsec
紅外透過率（4000-400CM-1）≥60%
表面粗糙度（Ra）:≤0.5nm
總厚度變化（TTV）≤3μm
夾雜尺寸：≤5μm
無小角晶界及孿晶（X射線形貌相檢測）
應用領域：
它還被廣泛用作紅外探測器HgCdTe的外延襯底和室溫核輻射探測器等，它具有優(yōu)異的光電性能，可以在室溫狀態(tài)下直接將X射線和γ射線轉(zhuǎn)光子變?yōu)殡娮?，是迄今為止制造室溫X射線及γ射線探測器最為理想的半導體材料。與硅和鍺檢波器相比，CdZnTe晶體是唯一能在室溫狀態(tài)下工作并且能處理兩百萬光子/（s·mm）的半導體。另外，CdZnTe晶體分光率勝過所有能買到的分光鏡。CdZnTe探測器的諸多優(yōu)點，使得它得到了越來越廣泛的應用，核安全、環(huán)境監(jiān)測、天體物理等領域均有應用。在科學研究方面，CdZnTe探測器在高能物理學方面有很大的應用前景，例如它可用于高能粒子的加速系統(tǒng)。化合物半導體探測器具有很大的競爭力，可以預料在粒子物理方面的應用會得到很大發(fā)展。此外，CdZnTe探測器在天文物理研究方面也具有廣闊的應用前景。當前，CdZnTe探測器的研究是處于一個迅速發(fā)展階段的很有意義的新課題。
發(fā)展方向：
當前，CdZnTe探測器兩個重要發(fā)展方向是：多塊大體積并行探測器和面元陣列探測器。前者由多塊體積大于1cm的CdZnTe晶體陣列組成，這類探測器解決了單個探測器體積小，總探測效率低的缺點，大大縮短了測量時間，尤其適于便攜式譜儀系統(tǒng)，可應用于環(huán)境、港口、鐵路貨物等的放射性監(jiān)測。后者是由CdZnTe晶體面元陣列組成，主要應用于核醫(yī)學、天體物理等領域的能譜成像。
